عنوان :
طراحي و شبيه سازي ساختار EBG جهت بهبود بازدهي تشعشعي آنتن هاي آرايه اي مايكرواستريپ در باند X
نويسنده اصلي :
مهدي يوسفي
مقطع تحصيلي :
كارشناسي ارشد
چكيده :
چكيده عناصر آنتن آرايه¬اي ميكرواستريپ اگر در فواصل كمي (به عنوان مثال كمتر از 6/0) از يكديگر قرار گرفته باشند، ميدان¬هاي نشتيِ عناصر تشعشعي روي عناصر EBG -كه بين آن¬ها قرار دارند- اثر گذاشته و سبب ايجاد تشديد بسيار قوي و در نتيجه به دام افتادن اين ميدان¬ها توسط عناصر EBG شده كه عامل اصلي كاهش بازدهي تشعشعي آنتن مي¬باشد. براين اساس ايده اصلي اين تحقيق، تمركز روي خاصيت فاز بازتاب از سطحِ عناصر متناوب قارچي شكل بوده كه به عنوان سطوح امپدانس راكتيو (RIS) در زيرلايه آنتن بكار رفته است تا علاوه بر كاهش تزويج بين عناصر آنتن (كه فواصل عناصر آن از يكديگر كمتر از 6/0 است)، بازدهي تشعشعي آن را بهبود بخشد. در اين تحقيق دو نمونه سلول واحد ارايه مي¬شود و مدار معادل آن¬ها با درنظر گرفتن همه اجزاي سلفي و خازني، طبق فرمول¬هاي معتبر و بدون هيچ¬گونه استفاده از روابط برازش منحني بدست مي¬آيد. طراحي سلول واحد جهت داشتن فاز بازتاب بيشتر از صورت گرفته تا سطح متناوب، خاصيت سلفيِ كافي داشته باشد. از اين دو طرح سلول واحد به عنوان مبناي طراحي سطوح امپدانسي راكتيو براي زيرلايه آنتن استفاده مي¬شود. آنتن آرايه-اي و ساختار RISبكار رفته در زيرلايه¬ي آن، براي باند X(GHz12-8) طراحي شده¬اند. همانطوركه مشاهده خواهد شد، براي آنتن تك عنصري، مقدار بهره در هر دو صفحه E و H حدود dB 7/0 افزايش داشت و از مقدار dB 8/6 به مقدار dB 5/7 رسيد. براي آنتن دو عنصري، مقدار بهره در هر دو صفحه E و Hاز مقدار dB 65/9 به مقدار dB 3/10 و براي آنتن چهار عنصري، مقدار بهره در هر دو صفحه E و Hاز مقدار dB 9/11 به مقدار dB 5/12 رسيد. ضمن آنكه براي آنتن دو عنصري تزويج بين دو عنصر قرار گرفته در صفحه E به مقدار dB 13 و براي آنتن چهار عنصريتزويج به مقدار dB 23 كاهش يافته است. واژه‌هاي كليدي:تزويج متقابل،ساختارهاي باند ممنوعه الكترومغناطيسيEBG، سطوح RIS.
شماره ركورد :
100551
دانشگاه :
دانشگاه علم و صنعت ايران
رشته تحصيلي :
مخابرات ميدان
استاد راهنما :
دكتر محمدهاشم واجدسميعي
نسخه ديجيتال :
دارد
آدرس اينترنتي :
لينک به اين مدرک :

بازگشت