طراحي و شبيه‌سازي يك ماسفت افقي با ساختار ACCFET روي زير لايه SiC

كارشناسي ارشد

چكيده در اين پروژه قصد داريم به كمكيك ساختار نوين كه در آن از تكنيك كانال دفن شده بهره برده شده است، به افزايش موبيليتي كانال در يك ماسفت قدرت افقي (Lateral) بر پايه زيرلايه SiC مبادرت ورزيم. ماده SiC يكي از موادي است كه در چند سال اخير به عنوان جايگزيني براي سيليكان معرفي شده است.اما در حال حاضر افزاره‌هاي مبتني بر نيمه‌هاديSiC از يك مشكل اساسي رنج ميبرند كه عبارتست از سطح واسط نامرغوب SiC/SiO2كه موجب كاهش موبيليتي كانال ماسفت مي‌شود. در اين پروژه ما از ساختار ACCFET كه اساسا براي ماسفتهاي عمودي توسعه داده شده است، بهره خواهيم برد تا به كمك آن يكماسفت قدرت افقي با موبيليتي كانال بهبود يافته معرفي كنيم. پس از معرفي اين ساختار آنرا را شبيه‌سازي كرده و مشخصات آنرا بررسي و بهينه سازي خواهيم كرد. واژه‌هاي كليدي:سيليكان كاربايد -SiC - الكترونيك قدرت

186472

دانشگاه علم و صنعت ايران

دكتر محمد عظيم كرمي

الكترونيك

دكتر عبدالرضا رحمتي