ترابرد وابسته به اسئين در يك ساختار شش گوشي فسفرين در حضور برهم كنش الكترون-الكترون

كارشناسي ارشد

يكي از مواد دوبعدي كه در دهه گذشته به دليل خواص منحصر بفرد آن مورد توجه قرار گرفته فسفرين است. پيش بيني دقيق‌تر رفتار اين ماده مستلزم استفاده از مدل‌هاي دقيق تر از مدل تنگ بست مي‌باشد. مدل تنگ بست مدلي ساده است كه تا حد زيادي در توصيف رفتار مواد موفق بوده است ولي در آن از برهم كنش الكترون-الكترون صرف نظر شده است. مدل هابارد ساده ترين مدل براي توصيف سيستم هاي همبسته قوي است كه در آن برهم كنش الكترون-الكترون نيز مد نظر قرار گرفته است. در اين پژوهش سعي داريم ابتدا رسانش الكتريكي در نانونوار فسفرين با استفاده از مدل تنگ بست و به روش تابع گرين براي مقادير مختلف ميدان الكتريكي در انرژي فرمي صفر و در حضور ميدان هاي الكتريكي عرضي و عمودي و ميدان مغناطيسي تبادلي مورد بررسي قرار دهيم. مشاهده شد هرچه شدت ميدان الكتريكي عرضي افزايش ميابد شاهد كاهش رسانش خواهيم بود. سپس با استفاده از هاميلتوني هابارد و در نظر گرفتن برهم كنش الكترون- الكترون رسانش الكتريكي وابسته به اسپين در حضور ميدان هاي الكتريكي عرضي و عمودي و ميدان مغناطيسمي تبادلي از طريق حل خودسازگار مورد مطالعه قرار دهيم. به علت لحاظ نمودن دافعه كولني ميان الكترون‌ها در Uكوچك شاهد افزايش رسانش وابسته به اسپين هستيم ولي با افزايش دافعه كولني تمايل الكترون‌ها به جايگزيده شدن بيشتر مي شود و رسانش كاهش ميابد. سپس با ايجاد نقص در نانوساختار درباره رسانش در انرژي فرمي صفر بحث مي‌كنيم كه همانطور كه انتظار ميرفت با ايجاد نقص شاهد كاهش رسانش هستيم . واژه‌هاي كليدي: تابع گرين, مدل تنگ بست, ترابرد وابسته به اسپين, نانو نوار فسفرين, مدل هابارد , ميدان الكتريكي عرضي

193385

دانشگاه علم و صنعت ايران

فيزيك حالت جامد

دكتر اميرحسين احمدخان كردبچه